FMUSER Oorspronklike nuwe MGF2430A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

FMUSER Oorspronklike nuwe MGF2430A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor BESKRYWING Die MGF2430A, GaAs FET met 'n N-kanaal schottkygate, is ontwerp vir L- tot Ku-bandversterkers. KENMERKE ● Hoë uitsetvermoëP1dB = 30.5dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz ● Hoë lineêre versterking GLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz ● Hoë doeltreffendheid toegevoegde krag P.AE = 27% (TIP) @ f = 14.5 GHz, P1dB ● Hermeties geslote metaalverpakking TOEPASSING ● Vir L- tot Ku-bandversterkers KWALITEIT ● IGOUTLINE TEKENING AANBEVOLE BIAS VOORWAARDES ● Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500 ● Absolute maksimum waardering ● VGDO Poort tot bron spanning ● VGSO Poort tot bron spanning ● IDSS Satu

besonderhede

vorige:1 STK MRFE6VP5300N oorspronklike RF transistor

volgende:FMUSER Oorspronklike nuwe MRF173 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

Prys (USD)	Aantal (PCS)	Pos (USD)	Totaal (USD)	Pos Metode	betaling
69	1	0	69	lugpos
				lugpos

FMUSER Oorspronklike nuwe MGF2430A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

BESKRYWING

Die MGF2430A, GaAs FET met 'n N-kanaal schottkygate, is ontwerp vir L- tot Ku-bandversterkers.

KENMERKE

●Hoë uitsetkragP1dB = 30.5dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz

●Hoë lineêre versterkingGLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz

●Hoë doeltreffendheid toegevoegde krag P.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB

●Hermeties verseëlde metaalverpakking TOEPASSING

●Vir L- en Ku-band kragversterkersKWALITEIT

●IGOUTLINE TEKENE

AANBEVOLE BIASVOORWAARDES

●Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500
●Absolute Maksimum Graderings
●VGDO-hek na bronspanning
●VGSO-hek na bronspanning
●IDSS Versadigde afvoerstroom
●IGR Omgekeerde hekstroom
●IGF Voorwaartse hekstroom
●PT * 1 Totale kragverlies
●Tch Kanaal temperatuur

●Tstg Opbergtemperatuur * 1: Tc = 25 ° C (Ta = 25 ° C)